Investigador/a Grupo A nivel 1

Crecimiento por MBE, caracterización (XRD,SEM,AFM,PL,CL, Elipsometria) y

procesado tecnológico de estructuras y dispositivos semiconductores basados

en Nitruros-III

Grado en Físicas. Master en Ingeniero de Materiales. Doctor en Ciencias.

Dominio de la técnica de crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE) y

experiencia en la caracterización y procesado de estructuras basadas en los

Nitruros del grupo III.

Manejo fluido del inglés en lectura y escritura. Candidatos extranjeros deben tener un C1

en lengua española.

Nunca envíes tu información personal (DNI, foto,...), datos bancarios ni realices ningún pago para solicitar un empleo